近日，隨著人工智能市場(chǎng)的爆發(fā)，各類關(guān)鍵技術(shù)的提升成為行業(yè)的焦點(diǎn)。在這一背景下，除了CPU、GPU算力的提升，HBM內(nèi)存的需求也迅速攀升。然而，HBM內(nèi)存的生產(chǎn)一直受到產(chǎn)能限制、成本高以及焊接工藝復(fù)雜等問題的制約。為了克服這些挑戰(zhàn)，MK Electronics公司推出了一項(xiàng)創(chuàng)新的低溫焊技術(shù)，為HBM內(nèi)存的生產(chǎn)提供了新的可能性。
HBM（High Bandwidth Memory）內(nèi)存作為高性能計(jì)算和人工智能應(yīng)用中的重要組成部分，其性能和效率的提升對(duì)于整個(gè)行業(yè)具有重要意義。然而，由于HBM內(nèi)存采用了TSV（Through Silicon Via）硅通孔技術(shù)，傳統(tǒng)的高溫焊接技術(shù)可能會(huì)引起芯片變形等問題。此前主流的高溫焊接技術(shù)采用SAC（Sn-Ag-Cu）錫、銀、銅材料，熔點(diǎn)超過250℃，不太適用于HBM內(nèi)存的特殊要求。
為了解決這一難題，MK Electronics公司研發(fā)出了專門適用于HBM內(nèi)存的低溫焊技術(shù)。這種新型焊接技術(shù)使用了由鉍（Bi）、錫（Sn）和銀（Ag）制成的焊球，其熔點(diǎn)低于150℃，比傳統(tǒng)高溫焊接技術(shù)降低了100多度。通過這種低溫焊接技術(shù)，HBM內(nèi)存的生產(chǎn)過程不僅得以提高生產(chǎn)效率，還能夠降低因高溫引起的產(chǎn)品變形和缺陷，從而提高了產(chǎn)品的良率和質(zhì)量。
這項(xiàng)低溫焊技術(shù)的突破不僅為HBM內(nèi)存生產(chǎn)帶來了新的機(jī)遇，也為整個(gè)行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。在三星、SK海力士等公司積極擴(kuò)大HBM內(nèi)存的生產(chǎn)規(guī)模的背景下，這項(xiàng)創(chuàng)新的焊接技術(shù)預(yù)計(jì)很快會(huì)在業(yè)界得到廣泛應(yīng)用。通過降低生產(chǎn)成本、提高產(chǎn)能，以及保障產(chǎn)品質(zhì)量，這項(xiàng)低溫焊技術(shù)將進(jìn)一步推動(dòng)HBM內(nèi)存在高性能計(jì)算和人工智能領(lǐng)域的應(yīng)用和發(fā)展，為技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級(jí)貢獻(xiàn)一份力量。