11月15日消息，據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道稱(chēng)，全球光刻機(jī)龍頭大廠ASML首席執(zhí)行官溫寧克（Peter Wennink）于今日在韓國(guó)首爾召開(kāi)的一場(chǎng)新聞發(fā)布會(huì)上表示，ASML新一代的High-NA EUV光刻機(jī)將于2024年開(kāi)始發(fā)貨，每臺(tái)設(shè)備的價(jià)格將在3億至3.5億歐元之間。
持續(xù)擴(kuò)大在韓國(guó)投資
去年11月，ASML與韓國(guó)華城市簽署了一份備忘錄，宣布投資2400億韓元（2.12億美元），于2024年前在當(dāng)?shù)卮蛟煲蛔?6,000平方公尺的維修中心和工程師培訓(xùn)中心，可容納多達(dá)1500名員工。
根據(jù)計(jì)劃，ASML韓國(guó)維修中心和工程師培訓(xùn)中心項(xiàng)目將于明日（2022年11月16日）舉行開(kāi)工儀式。為此，ASML CEO溫寧克也親自來(lái)到韓國(guó)，明日將與韓國(guó)政府官員及半導(dǎo)體行業(yè)人士共同參與開(kāi)工儀式。
在此之前，溫寧克出席了ASML于今日在韓國(guó)首爾舉行了一場(chǎng)新聞發(fā)布會(huì)，介紹了ASML在韓國(guó)的發(fā)展愿景。
在“技術(shù)復(fù)雜性（芯片制造）上升”之際，與韓國(guó)當(dāng)?shù)乜蛻裘芮泻献?ldquo;至關(guān)重要”。ASML CEO 溫寧克補(bǔ)充說(shuō)，“在這里設(shè)立一個(gè)培訓(xùn)中心也非常重要，因?yàn)檫@將有助于讓技術(shù)更貼近客戶。”
ASML正在持續(xù)增加在韓國(guó)的研發(fā)投資，目標(biāo)是在未來(lái) 10 年內(nèi)在韓國(guó)再雇用1400 名員工。同時(shí)，ASML有望在未來(lái)幾年在韓國(guó)建設(shè)研發(fā)中心和制造工廠。溫寧克表示，建立韓國(guó)供應(yīng)基地是ASML進(jìn)一步發(fā)展的“重要機(jī)會(huì)”。
持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能
雖然自今年以來(lái)，由于全球經(jīng)濟(jì)衰退，使得全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也受到較大影響，再加上中美之間的貿(mào)易摩擦，也給全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來(lái)了不利的影響。
在今天的新聞發(fā)布會(huì)上，溫寧克也表示，明年半導(dǎo)體也仍將面臨全球經(jīng)濟(jì)衰退風(fēng)險(xiǎn)所帶來(lái)的困難。但是，他仍非常有信心的預(yù)測(cè)，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)在未來(lái)十年內(nèi)仍將保持平均每年9%的增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)到2030年，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將達(dá)到1萬(wàn)億至1.3萬(wàn)億美元。
溫寧克還以汽車(chē)市場(chǎng)為例介紹到，越來(lái)越多的汽車(chē)正在實(shí)現(xiàn)數(shù)字化，這將導(dǎo)致40nm至5nm芯片在汽車(chē)中的應(yīng)用。盡管汽車(chē)行業(yè)主要使用傳統(tǒng)工藝節(jié)點(diǎn)制造的芯片，但預(yù)計(jì)未來(lái)也將轉(zhuǎn)向使用更先進(jìn)制程的芯片。
“市場(chǎng)對(duì)于我們產(chǎn)品的需求仍然高于我們的生產(chǎn)能力”，溫寧克說(shuō)：“我們的客戶必須相信經(jīng)濟(jì)衰退的持續(xù)時(shí)間比我們機(jī)器的平均交貨時(shí)間短。”
不久前，ASML公布了2022年第三季度財(cái)報(bào)，銷(xiāo)售額和利潤(rùn)均超出市場(chǎng)預(yù)期，新的凈預(yù)訂額也創(chuàng)下了紀(jì)錄。
當(dāng)時(shí)，溫寧克也強(qiáng)調(diào)，“由于包括通貨膨脹、消費(fèi)者信心在內(nèi)的一系列全球宏觀經(jīng)濟(jì)問(wèn)題，市場(chǎng)存在不確定性和衰退的風(fēng)險(xiǎn)。雖然我們開(kāi)始看到每個(gè)細(xì)分市場(chǎng)的需求動(dòng)態(tài)不同，但對(duì)我們系統(tǒng)的整體需求仍然強(qiáng)勁。”
為了提升ASML的交付能力，近日，ASML也宣布了其擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，即在2025-2026年，將EUV光刻系統(tǒng)和DUV光刻系統(tǒng)的產(chǎn)能分別提升到90個(gè)和600個(gè)；2027-2028年將High-NA系統(tǒng)的產(chǎn)能提高到20個(gè)。
High-NA EUV預(yù)計(jì)2024年出貨，每臺(tái)價(jià)格至少3億歐元
在今天的新聞發(fā)布會(huì)上，溫寧克還介紹了ASML新一代High-NA EUV光刻機(jī)的進(jìn)展，預(yù)計(jì)將于2024年開(kāi)始發(fā)貨，每臺(tái)設(shè)備的價(jià)格在3億至3.5億歐元之間。
眾所周知，目前ASML是全球最大的光刻機(jī)供應(yīng)商，同時(shí)也是唯一的EUV光刻機(jī)的供應(yīng)商。
由于EUV光刻系統(tǒng)中使用的極紫外光波長(zhǎng)（13.5nm）相比DUV 浸入式光刻系統(tǒng)（193 nm）有著顯著降低，多圖案 DUV 步驟可以用單次曝光 EUV 步驟代替?？梢詭椭酒圃焐汤^續(xù)向7nm及以下更先進(jìn)制程工藝推進(jìn)的同時(shí)，進(jìn)一步提升效率和降低曝光成本。
目前，EUV光刻機(jī)可以支持芯片制造商將芯片制程推進(jìn)到3nm制程左右，但是如果要繼續(xù)推進(jìn)到2nm制程甚至更小的尺寸，就需要更高數(shù)值孔徑（NA）的High-NA光刻機(jī)。
相比目前的0.33數(shù)值孔徑的EUV光刻機(jī)，High-NA EUV光刻機(jī)將數(shù)值孔徑提升到0.55，可以進(jìn)一步提升分辨率（根據(jù)瑞利公式，NA越大，分辨率越高），從0.33 NA EUV的13nm分辨率提升到0.55 NA EUV的低至8nm分辨率（通過(guò)多重曝光可支持2nm及以下制程工藝芯片的制造）。
目前，臺(tái)積電、三星、英特爾等頭部的晶圓制造廠商也正在大力投資更先進(jìn)的3nm、2nm技術(shù)，以滿足高性能計(jì)算等先進(jìn)芯片需求。而ASML新一代的高數(shù)值孔徑 High-NA EUV光刻機(jī)也就成為了爭(zhēng)奪的關(guān)鍵。
在2021年7月底的“英特爾加速創(chuàng)新：制程工藝和封裝技術(shù)線上發(fā)布會(huì)”上，英特爾已宣布將在2024年量產(chǎn)Intel 20A工藝（相當(dāng)于臺(tái)積電2nm工藝），并透露其將率先獲得業(yè)界第一臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)。根據(jù)英特爾披露的信息顯示，其還將于2024年量產(chǎn)更先進(jìn)的Intel 18A工藝。
ASML總裁兼首席技術(shù)官M(fèi)artin van den當(dāng)時(shí)就表示，英特爾對(duì)ASML在High-NA EUV技術(shù)的遠(yuǎn)見(jiàn)和早期承諾證明了對(duì)摩爾定律的不懈追求。
今年9月，臺(tái)積電研究發(fā)展資深副總經(jīng)理米玉杰也對(duì)外表示，臺(tái)積電將在2024年取得ASML新一代High-NA EUV光刻機(jī)，為客戶發(fā)展相關(guān)的基礎(chǔ)設(shè)施與架構(gòu)解決方案。臺(tái)積電業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)資深副總經(jīng)理張曉強(qiáng)則表示，2024年取得設(shè)備后，初期主要用于與合作伙伴共同研究，尚不會(huì)量產(chǎn)。具體的量產(chǎn)將會(huì)是在2025年。
而根據(jù)ASML今年4月披露的信息顯示，目前ASML在位于 Veldhoven 的新潔凈室中已經(jīng)開(kāi)始集成第一個(gè)High-NA EUV光刻系統(tǒng)（EXE:5000）。
今年第一季度收到了多個(gè)EXE:5200系統(tǒng)（量產(chǎn)版High-NA EUV光刻系統(tǒng)）的訂單，今年4月還收到了額外的EXE:5200 訂單。目前，ASML收到了來(lái)自三個(gè)邏輯廠商和兩個(gè)存儲(chǔ)廠商的 High-NA EUV訂單。
顯然，這里提到的三個(gè)邏輯晶圓廠應(yīng)該是英特爾、臺(tái)積電和三星，兩個(gè)存儲(chǔ)晶圓廠應(yīng)該是三星和SK海力士。
△ASML首個(gè)High-NA EUV光刻系統(tǒng)
雖然，三星和SK海力士尚未公開(kāi)證實(shí)這一點(diǎn)，但消息人士表示，他們已經(jīng)向ASML下了訂單。
在今年的三季報(bào)會(huì)議上，ASML還宣布，其第三季度的預(yù)訂量達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的約 89億歐元，其中38億歐元是EUV系統(tǒng)，包括了High NA EUV系統(tǒng)。
在此次的新聞發(fā)布會(huì)上，溫寧克表示，2024年，ASML的High-NA EUV光刻系統(tǒng)將首次應(yīng)用于晶圓廠，計(jì)劃在2026年至2027年之間的某個(gè)時(shí)間點(diǎn)批量生產(chǎn)該設(shè)備，并將盡可能擴(kuò)大其生產(chǎn)能力，預(yù)計(jì)到2027-2028年，High-NA EUV光刻系統(tǒng)的年產(chǎn)能將達(dá)到20個(gè)。
對(duì)于High-NA EUV光刻系統(tǒng)的價(jià)格，溫寧克也首次正面回應(yīng)稱(chēng)，每臺(tái)設(shè)備的價(jià)格將在3億至3.5億歐元之間。顯然這個(gè)價(jià)格非常的高昂，達(dá)到了目前在售的EUV光刻機(jī)的2倍。但是對(duì)于正在先進(jìn)制程領(lǐng)域激烈競(jìng)爭(zhēng)的頭部晶圓廠來(lái)說(shuō)，他們別無(wú)選擇。
文章來(lái)源：快科技