導(dǎo)讀 全球DRAM內(nèi)存芯片主要壟斷在三星、SK海力士及美光手里，三家的份額高達(dá)95%，同時(shí)技術(shù)也是領(lǐng)先的，美光前不久更是搶先宣布量產(chǎn)1β內(nèi)存芯
全球DRAM內(nèi)存芯片主要壟斷在三星、SK海力士及美光手里，三家的份額高達(dá)95%，同時(shí)技術(shù)也是領(lǐng)先的，美光前不久更是搶先宣布量產(chǎn)1β內(nèi)存芯片，這是當(dāng)前最先進(jìn)的內(nèi)存芯片。
內(nèi)存工藝進(jìn)入20nm節(jié)點(diǎn)之后，廠商的命名已經(jīng)發(fā)生了變化，都被稱為10nm級(jí)內(nèi)存，但有更細(xì)節(jié)的劃分，之前是1x、1y 和 1z三代，后面是1α，1β，1γ。
在1α，1β，1γ這三代中，三星在1α上就開(kāi)始用EUV光刻工藝，但是代價(jià)就是成本高，美光現(xiàn)在量產(chǎn)的1β工藝就是最先進(jìn)的。
1β到底相當(dāng)于多少nm？美光日前在日本舉行了一次溝通會(huì)，介紹了1β內(nèi)存的一些進(jìn)展，指出它的工藝水平相當(dāng)于13nm，而且美光依然沒(méi)有使用EUV工藝，避免了昂貴的光刻機(jī)。
不使用EUV光刻，美光在1β內(nèi)存上使用的主要是第二代HKMG工藝、ArF浸液多重光刻等工藝，實(shí)現(xiàn)了35%的存儲(chǔ)密度提升，同時(shí)省電15%。
1β之后還有1γ工藝，估計(jì)會(huì)是12nm級(jí)別，制造難度更大，但美光依然沒(méi)有明確是否使用EUV光刻機(jī)，他們的目標(biāo)很可能是繼續(xù)使用現(xiàn)有工藝改進(jìn)，避免EUV光刻機(jī)的成本。
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