9月5日?qǐng)?bào)道，日本東北大學(xué)的研究人員最近利用濺射技術(shù)制造了碲化鈮（NbTe4）材料。 據(jù)悉，這種材料具有“優(yōu)異的存儲(chǔ)和熱性能”，有望用于正在制造的相變存儲(chǔ)器，從而為業(yè)界提供更多原材料選擇并降低相關(guān)成本。 該論文已在網(wǎng)絡(luò)圖書(shū)館平臺(tái)發(fā)表并存檔。
通過(guò)詢問(wèn)了解到，相變存儲(chǔ)器（PCM）是一種“應(yīng)用相變材料作為存儲(chǔ)介質(zhì)”的存儲(chǔ)技術(shù)。 與目前的閃存相比，相變存儲(chǔ)器通過(guò)相變材料的固液轉(zhuǎn)變來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。 數(shù)據(jù)（閃存的寫(xiě)入速度受到電荷移動(dòng)速度的限制），因此其讀寫(xiě)速度更快，存儲(chǔ)密度更高，功耗更低，尺寸可以更小，但成本較高制造相變存儲(chǔ)介質(zhì)過(guò)高，目前相變存儲(chǔ)仍處于企業(yè)級(jí)，尚未發(fā)布到國(guó)內(nèi)市場(chǎng)。
▲ 圖源在線圖書(shū)館平臺(tái)相關(guān)論文
研究人員使用濺射技術(shù)來(lái)制造這種材料。 據(jù)悉，“濺射是一種廣泛使用的技術(shù)，主要是將材料的薄膜沉積到基板上，以實(shí)現(xiàn)對(duì)薄膜厚度和成分的精確控制。” 研究人員在 272 ℃ 以上的溫度下進(jìn)行退火，形成碲化鈮 (NbTe4) 晶體。 這種材料具有約447℃的超低熔點(diǎn)，因此物理性能相對(duì)穩(wěn)定，適合制造相變存儲(chǔ)器。
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研究人員對(duì)晶體進(jìn)行了評(píng)估，發(fā)現(xiàn)與傳統(tǒng)的相變存儲(chǔ)化合物相比，碲化鈮（NbTe4）晶體具有更高的熱穩(wěn)定性，并且晶體可以相當(dāng)快地轉(zhuǎn)變?yōu)橐簯B(tài)（約30納米）。 秒），突出了其作為相變存儲(chǔ)器原材料的潛力。
東北大學(xué)先進(jìn)材料科學(xué)研究所助理教授爽聲稱：“我們?yōu)楦咝阅芟嘧兇鎯?chǔ)器的發(fā)展開(kāi)辟了新的可能性。NbTe4具有低熔點(diǎn)、高結(jié)晶溫度和優(yōu)異的轉(zhuǎn)換性能，這是相變存儲(chǔ)器當(dāng)前面臨的問(wèn)題的解決方案。“應(yīng)對(duì)成本挑戰(zhàn)的‘理想材料之一’。”
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