2月17日根據(jù)媒體最新報(bào)道，ASML已經(jīng)向Intel集團(tuán)交付了第1臺(tái)高NA EUV極紫外光刻機(jī)，這臺(tái)光刻機(jī)交付之后有消息傳來(lái)，該公司正在研究新一代Hyper NA光刻機(jī)，后續(xù)將會(huì)研發(fā)將會(huì)沖擊0.2nm工藝，很有可能會(huì)在2036年研發(fā)成功。
交付的高NA EUV極紫外光刻機(jī)，將會(huì)用于生產(chǎn)2nm工藝以下的芯片制造，不久三星、臺(tái)積電等一些頭部廠商也會(huì)陸續(xù)接收這臺(tái)光刻機(jī)，制造工藝可以直達(dá)1nm左右。
ASML公司所研發(fā)的第1代Low NA EUV光刻機(jī)，當(dāng)時(shí)的口徑數(shù)值只有0.33NA，臨界尺寸標(biāo)注13.5nm，最小的金屬間距是26mm。這臺(tái)機(jī)子配備了單次曝光以及雙重曝光，單次曝光之下的內(nèi)連接的間距是25~30mm，這種間距就比較適合制造4/5nm工藝，如果是雙重曝光就可以有效縮減內(nèi)連接的距離，將25~30縮小到21~24，這種就能夠直接制造3nm工藝。
后續(xù)該公司在第1代Low NA EUV光刻機(jī)的基礎(chǔ)上，又作出了調(diào)整第2代EUV光刻機(jī)的孔徑數(shù)值就從原來(lái)的0.33NA，提高到了0.55NA，臨界尺寸從原來(lái)的13.5 nm縮小到了8mm，而金屬之間的最小距離從原來(lái)的26mm縮小到16mm，這種機(jī)子可以制造3-1nm。
該公司負(fù)責(zé)人在接受媒體采訪時(shí)表示，公司已經(jīng)開(kāi)始研發(fā)Hyper NA技術(shù)，會(huì)在前幾代的基礎(chǔ)上繼續(xù)推進(jìn)各項(xiàng)光刻指標(biāo)，據(jù)悉最新的NA數(shù)值將會(huì)超過(guò)0.7，研發(fā)結(jié)果將會(huì)在2030年左右完成，這種最新研發(fā)的EUV光刻機(jī)比較適用于制造邏輯處理器芯片，相比較第1代高NA雙重曝光技術(shù)使用成本會(huì)更低，根據(jù)現(xiàn)在所披露的數(shù)據(jù)顯示低NA光刻機(jī)的研發(fā)成本至少在1.83億美元左右，而公司所研發(fā)的高NA光刻機(jī)的研發(fā)成本達(dá)到3.8億美元起步。
后續(xù)公司也會(huì)將研發(fā)工藝?yán)^續(xù)往后推進(jìn)，在2036年將會(huì)沖擊0.2mm工藝。